PN结上有内建电场。当PN结加上反向电压后，入射光主要在耗尽区被吸收，在耗尽区产生光生载流子(电子空穴对)。在耗尽区电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，产生光生电动势。在远离PN结的地方，因没有电场的作用，电子空穴作扩散运动，产生（ ）。因I层宽。加了反偏压后，空间电荷区加宽，绝大多数光生载流于部落在耗尽层内进行高效、高速漂移，产生（ ）。漂移电流远远大干扩散电流，所以PIN光电二极管的灵敏度高。
A、扩散电流、漂移电流
B、扩散电流、扩散电流
C、漂移电流、扩散电流
D、漂移电流、漂移电流