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单项选择题

对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命最大。

A.强N型半导体
B.弱N型半导体
C.弱P型半导体
D.本征半导体

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单项选择题

‍B掺杂浓度为6×10¹⁶cm^-3的Si半导体，再掺入4×4¹⁵cm^-3的P原子后，在禁带E_F的位置将（）

A.更靠近E_v
B.更靠近E_c
C.不确定
D.位于E_i

单项选择题

‌对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）

A.E_c
B.位于E_F以下，且很接近E_F的能级
C.E_i
D.位于E_F以上，且很接近E_F的能级

单项选择题

对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）

A.1/n_i
B.1/△p
C.1/p₀
D.1/n₀

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