简述什么是半导体的浅能级杂质和深能级杂质，它们的作用有何不同？

用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为g_p，非平衡载流子的寿命为τ_p，光脉冲宽度Δt=3τ_p。
1）试写出在该脉冲光开始照射到结束以后，非平衡空穴所满足的方程式。
2）设t=0的瞬间，脉冲光开始照射，试求脉冲光开始照射到结束后的整个时间内，非平衡空穴随时间变化的规律。
3）在用直流光电导衰减法测量非平衡载流子寿命的实验中，在示波器上观察的是哪段曲线？所谓的寿命是指曲线上的哪段时间？由此如何定义非平衡载流子的寿命？