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单项选择题

‍对于中等掺杂的某半导体样品，T=450K时，其空穴扩散系数为15cm2/s，则空穴迁移率大约为（）cm2/V·s。

A.60
B.600
C.90
D.900

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单项选择题
‏室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×106cm-3，掺杂浓度为ND=1015cm-3，电子和空穴的迁移率分别为8500cm2/V·s和400cm2/V·s。若外加电场强度为10V/cm，则其漂移电流密度为（）A/cm2。

A.1.36
B.13.6
C.0.68
D.6.8
单项选择题
‏对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时，多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反，则该半导体的掺杂类型为（）。

A.N型
B.P型
C.本征型
D.无法判断
单项选择题
已知仅掺杂磷的n型硅样品，且其室温时的电阻率为10Ω·cm，则其掺杂浓度最可能为（）cm-3。

A.1.3×1013
B.1.3×1014
C.1.3×1015
D.1.3×1016
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