单项选择题

已知某晶体管的穿透电流I_CEO=0.32mA，集基反向饱和电流ICBO=4μA，如要获得2.69mA的集电极电流，则基极电流I_B应为（）。

A.0.3mA
B.2.4mA
C.0.03mA

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单项选择题

逻辑电路如图所示，当A=“0”，B=“1”时，C脉冲来到后D触发器（）。

A.具有计数功能
B.保持原状态
C.置“0”
D.置“1”

单项选择题

电路如图所示，晶体管β=50，U_BE＝0.6V，R_B＝72kΩ，R_C＝1.5kΩ，U_CC＝9V，当R_W＝0时，晶体管处于临界饱和状态，正常工作时静态集电极电流I_CQ应等于3mA，此时应把R_W调整为（）

A.100kΩ
B.72kΩ
C.68kΩ
D.86kΩ

单项选择题

A.输入的二进制数字信号的位数，位数越多分辨率越高
B.输出的模拟电压的大小，输出的模拟电压越高，分辨率越高
C.参考电压U_R的大小，U_R越大，分辨率越高

已知某晶体管的穿透电流ICEO=0.32mA，集基反向饱和电流ICBO=4μA，如要获得2.69mA的集电极电流，则基极电流IB应为（）。