单项选择题
A.P型掺杂困难B.可以用熔体法或者气相法生长C.外延生长存在晶格失配的问题D.能带宽度会随着温度变化
A.硬度高，耐磨性好B.具有非常高的击穿电场，相比较硅具有更高的耐压能力和电流密度C.容易得到均匀、低缺陷密度的高纯晶体D.具有很高的电导率
A.易挥发，高浓度磷原子不能掺入硅熔体B.磷的分凝系数过高，导致轴向掺杂不均匀C.高浓度磷容易造成组分过冷，导致多晶D.高浓度磷掺入的微缺陷难以准确显示
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