轻掺杂的硅样品在室外温下，外加电压使电子的漂移速度是它的热运动速度 的十分之一，一个电子由于漂移而通过1μm区域中的平均碰撞次数和此时加在这个区域的电压为多少？

（1）证明，且电子浓度，空穴浓度时，材料的电导率σ最小，并求出σ_min的表达式。

（2）试求300K时，InSb的最小电导率和最大电导率，什么导电类型的材料电阻率可达最大？（T=300K时，InSb的）

分别计算有下列杂质的硅，在室温时的载流子浓度和电阻率；
（1）3×10¹⁵硼原子/cm³ 
（2）1.3×10¹⁶硼原子/cm³+1.0×10¹⁶磷原子/cm³ 
（3）1.3×10¹⁶磷原子/cm³+1.0×10¹⁶硼原子/cm³+1.0×10¹⁷砷原子/cm³

一截在为10^-3cm²，掺有杂质浓度N_A=10₁₃/cm³的P型硅样品，在样品内加有强度为10³V/cm的电场，求： 
（1）室外温时样品的电导率及流过样品的电流密度。
（2）400K时样品的电导率及流过样品的电流密度。