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单项选择题

对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（）

A.Ge
B.Si
C.SiC
D.GaAs

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单项选择题
根据费米分布函数，电子占据（EF+2K0T）能级的几率（）

A.大于空穴占据EF的几率
B.等于空穴占据（EF-2K0T）能级的几率
C.等于空穴占据（EF+2K0T）能级的几率
D.大于电子占据EF的几率
单项选择题
‍T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）

A.增加
B.不确定
C.不变
D.下降
多项选择题
​对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）

A.掺入n型杂质
B.掺入p型杂质
C.本征激发
D.引入深能级
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