传输管逻辑的噪声容限等于（）。

A.互补CMOS逻辑门的下降速度更快，静态功耗更高
B.互补CMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低
C.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更高
D.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低

A.在芯片当中的任一位置上放置一个电容
B.靠近大的驱动器的地方应该放置去耦电容
C.电源线下方应该放置去耦电容
D.尽量远离要稳定的电源电压的电路

A.可以减小各处电路的电源/地线上的寄生电阻
B.可以减小流过电源/地线上的电流
C.可以使得芯片各处的电源/地线上的寄生电阻相等
D.增大导线的对地电容，滤除电压的波动