单项选择题
A、不含杂质与缺陷； B、电子密度与空穴密度相等； C、电阻率最高； C、电子密度与本征载流子密度相等。
A、各处出现的几率相同 B、各处的相位相同 C、各元胞对应点出现的几率相同 D、各元胞对应点的相位相同
A.金刚石型和直接禁带型 B.闪锌矿型和直接禁带型 C.金刚石型和间接禁带型 D.闪锌矿型和间接禁带型
A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
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