单项选择题

UVSilicon的保存条件是（）。

A.低温避光
B.常温避光
C.常温不避光
D.低温不避光

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单项选择题

A.POL的边缘到电极侧Glass边缘的距离
B.POL的边缘到非电极侧Glass边缘的距离
C.POL的边角到电极侧Glass边角的距离
D.POL的边角到非电极侧Glass边角的距离

单项选择题

A.集成电路
B.T/C
C.电阻
D.各项异性导电胶

单项选择题

A.时间
B.温度
C.压力
D.湿度