多项选择题
A.晶体B.非晶体C.难溶于水D.能用HF腐蚀
A.可以减小自掺杂反应B.对设备要求提高，必须防止泄漏C.工艺温度降低外延层晶格受影响D.缩小了过渡区可用于多层外延
A.SOIB.SOSC.SEGD.MOCVD
A.控制导电性质B.弥补缺陷C.形成过渡区域D.控制外延层的电导率
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