设N沟道增强型MOS管的参数为V_T=0.75V，W=30μm，L =3μm，μ_n=650cm²/V·s，C_OX=76.7×10^-9F/cm²，且v_GS=2V_T，MOSFET工作在饱和区。试计算此时场效应管的工作电流i_D。