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单项选择题
通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）
A.干氧
B.干氧-湿氧-干氧
C.掺氯氧化
D.低压氧化
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相关考题
多项选择题
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
判断题
如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl
4
）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
填空题
拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。
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