陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）A.使整个样品加底光照B.将硅单晶加热到50

多项选择题

下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）

A.是晶体中点缺陷的局部聚集
B.漩涡条纹是不连续的
C.由大量的浅蚀坑组成
D.在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的

单项选择题

稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）

A.扩散长度法
B.光电导衰退法
C.光脉冲法
D.光磁法

多项选择题

四探针法测量电阻率的测准条件主要有（）

A.电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化
B.一般采用1～2mm左右的针距较适宜
C.四根探针应处于同一平面的同一条直线上
D.样品的厚度必须大于3倍针距

多项选择题

目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法，一般主要有（）。

A.直接法
B.瞬态法
C.稳态法
D.间接法

多项选择题

国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）

A.单探针点接触整流法
B.冷热探笔法
C.三探针法
D.冷探笔法

多项选择题

高频光电导衰退法的优点主要有（）

A.样品较少受到污染
B.测量时不必制作欧姆电极
C.样品无需切割成一定的几何形状
D.应用广泛

多项选择题

高频光电导衰退法的缺点主要有（）

A.仪器线路比较复杂
B.依靠电容耦合
C.干扰比较大
D.测试方法比较简单

多项选择题

测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有（）方面。

A.控制氙灯的闪光电压
B.加滤光片
C.加热硅单晶
D.加光阑

多项选择题

半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。

A.晶体管的放大倍数
B.开关管的开关时间
C.太阳能电池的光电转换效率
D.太阳能电池的填充因子

多项选择题

半导体晶体缺陷主要包括（）

A.微观缺陷
B.宏观缺陷
C.表面机械损伤
D.点阵应变

单项选择题

半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有（）

A.点缺陷
B.层错
C.杂质沉淀
D.位错

多项选择题

半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（）

A.星型结构
B.杂质析出
C.系属结构
D.点缺陷

多项选择题

半导体硅的常用腐蚀剂主要有（）。

A.Dash腐蚀液
B.Shimmel腐蚀液
C.Sirtl腐蚀液
D.Wright腐蚀液

单项选择题

用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（）为宜。

A.30～50℃
B.40～60℃
C.50～70℃
D.60～80℃

单项选择题

漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。

A.线缺陷
B.微缺陷
C.面缺陷
D.点缺陷

单项选择题

位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。

A.线密度
B.体密度
C.面密度
D.以上皆不是

单项选择题

三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。

A.整流效应
B.温差电效应
C.以上二种皆可
D.以上二种皆不可

单项选择题

目前国内外广泛采用（）测量半导体硅单晶电阻率。

A.四探针法
B.扩展电阻法
C.范德堡法
D.两探针法

单项选择题

冷热探笔法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。

A.整流效应
B.温差电效应
C.以上二种皆可
D.以上二种皆不可

单项选择题

缓冲剂一般是（）。

A.弱酸弱碱
B.弱碱
C.弱酸
D.强酸强碱

陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）

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