单项选择题
A.PH3 B.PH5 C.POCl3 D.B2O3
A.铸造多晶硅B.直拉单晶硅C.区熔单晶硅D.填坑
A.800℃ B.1410℃ C.2200℃ D.1200℃
A.熔体与坩埚不直接接触B.硅锭中晶粒较细小C.电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀D.较少晶体缺陷
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