单项选择题

关于预饱和技术叙述，错误的是（）

A.流动血液呈高信号
B.流动血液呈低信号
C.预饱和区内全部组织的磁化矢量是饱和状态
D.预饱和区位于成像容积层厚之外
E.血液流入预饱和区即处于饱和状态

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单项选择题

A.波流
B.层流
C.涡流
D.湍流
E.轴向流动

单项选择题

A.改变RF激励位置
B.改变RF激励频率
C.改变层面选择梯度磁场的场强大小
D.改变层面选择梯度磁场的方向
E.同时改变RF激励位置和层面选择梯度场强的大小

单项选择题

A.层面选择梯度磁场的场强维持不变，只变化射频脉冲频率
B.不断移动射频脉冲激励的位置
C.射频脉冲频率不变，改变层面选择梯度磁场方向
D.射频脉冲频率和层面选择梯度磁场方向都不变
E.同时改变射频脉冲频率和层面选择梯度磁场方向