单项选择题

对于高纯锗探测器的描述，下列说法错误的是（）。

A.高纯锗探测器是由Ge单晶制成
B.杂质浓度约为10⁵个原子/cm³
C.因为纯度高，所以可以有很大的结区，即敏感体积
D.耗尽层内的电场强度不是一致的

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单项选择题

A.锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探测器须保存在低温下
C.Si（Li）探测器可在常温下保存
D.锂漂移探测器能量分辨率高于NaI探测器

单项选择题

A.I区存在空间电荷
B.I区为耗尽层，但是电阻率低于10⁶Ω
C.I区为主要的探测器敏感区域
D.因为空间电荷的存在，平面型结构I区内不是均匀电场

单项选择题

A.Li为施主杂质
B.锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子
C.基体用N型半导体