单项选择题
A.1990 B.1995 C.1998 D.2000
A.WSE200 B.WSM315 C.WS400 D.WSME315
A.IP20 B.IP21 C.P23 D.IP24
A.场管比IGBT频率高 B.IGBT比场管导通压降低 C.单支IGBT的 功率容量比场管容量大 D.IGBT的开关损耗比场管大 E.IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路
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