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全部科目 > 大学试题 > 工学 > 电子与通信技术 > 集成电路技术 > 集成电路技术综合练习

多项选择题

倒角的目的是（）

A.防止晶圆受到撞击而导致边缘破裂
B.防止热应力产生的缺陷在边缘产生并阻止其向内部移动
C.增加晶圆边缘的平坦度
D.去除晶圆表面微量的损伤层

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多项选择题
单晶硅生长过程中，无位错正常生长的标志有（）

A.晶棱随细颈转为宽平
B.有反光或细颈某一侧向外鼓起
C.长出规定尺寸的细颈
D.界面出现抖动的光圈
多项选择题
直径大于8英寸的单晶硅锭可以用（）方法制备出来。

A.FZ法
B.CZ法
C.直拉法
D.悬浮区熔法
多项选择题
工业上用二氧化硅和碳在高温下以一定的比例混合发生置换反应得到的单质硅纯度约为98%，主要含有（）等杂质。

A.Fe
B.Al
C.B
D.Cu
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