单项选择题

下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。

A.内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
B.缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
C.表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D.用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化

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单项选择题

A.磁化的磁场强度与材料的导磁率
B.缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸
C.缺陷内部的介质
D.A、B和C

单项选择题

A.矫顽力
B.漏磁场
C.多普勒效应
D.裂纹处的高应力

单项选择题

A.磁化的磁场强度与材料的磁导率
B.缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸
C.缺陷内的介质
D.A、B和C