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画出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）单晶抛光硅片的外形判别示意图。
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半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。
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简述1990年代CMOS工艺技术特征：特征尺寸、晶圆尺寸、衬底、隔离、源漏、栅极材料、光刻光源、曝光方式（光刻机）、刻蚀、互连材料及方式等。
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简述CMOS双阱工艺，画出标准埋层双极工艺流程示意图。
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