多项选择题
A.单探针点接触整流法 B.冷热探笔法 C.三探针法 D.冷探笔法
A.样品较少受到污染 B.测量时不必制作欧姆电极 C.样品无需切割成一定的几何形状 D.应用广泛
A.仪器线路比较复杂 B.依靠电容耦合 C.干扰比较大 D.测试方法比较简单
A.控制氙灯的闪光电压 B.加滤光片 C.加热硅单晶 D.加光阑
A.晶体管的放大倍数 B.开关管的开关时间 C.太阳能电池的光电转换效率 D.太阳能电池的填充因子
A.微观缺陷 B.宏观缺陷 C.表面机械损伤 D.点阵应变
A.点缺陷 B.层错 C.杂质沉淀 D.位错
A.星型结构 B.杂质析出 C.系属结构 D.点缺陷
A.Dash腐蚀液 B.Shimmel腐蚀液 C.Sirtl腐蚀液 D.Wright腐蚀液
A.30～50℃ B.40～60℃ C.50～70℃ D.60～80℃
A.线缺陷 B.微缺陷 C.面缺陷 D.点缺陷
A.线密度 B.体密度 C.面密度 D.以上皆不是
A.整流效应 B.温差电效应 C.以上二种皆可 D.以上二种皆不可
A.四探针法 B.扩展电阻法 C.范德堡法 D.两探针法
A.弱酸弱碱 B.弱碱 C.弱酸 D.强酸强碱
A.杂质沉淀 B.线缺陷 C.面缺陷 D.点缺陷
A.多晶 B.非晶 C.单晶 D.以上皆不是
A.70% B.30% C.49% D.36%
A.外来原子 B.填隙原子 C.空位 D.络合体
A.三探针法 B.单探针点接触整流法 C.冷热探笔法 D.冷探笔法
