多项选择题
A.也可用于晶体生长B.硅也能采用水平区域提纯法C.避免了坩埚的污染D.熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
A.刃型位错也可能作为一排受主 B.位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心 C.位错能够改变载流子浓度 D.刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子
A.石墨坩埚的形状 B.在晶体生长过程中的受热程度 C.承受的重量 D.石墨的材质
A.磷的密度小 B.磷在硅中的分配系数小于1 C.磷在硅熔液中很快得到蒸发 D.磷的熔点低
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