多项选择题

对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是（）

A.利用扩散模型得到的结果是异质pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加
B.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加
C.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理
D.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理

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多项选择题

A.对于n 型半导体，在半导体表面形成很薄的多子积累层
B.对于p 型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层
C.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系
D.对于n型半导体，在半导体表面形成很厚的耗尽层

单项选择题

当界面态密度很大，且为受主态时，pn、np异质结的能带结构分别为（）

A.A
B.B
C.C
D.D

单项选择题

A.界面两边形成的都是积累层
B.界面两边形成的都是反型层
C.两者的界面处一边形成了积累层，一边则形成耗尽层
D.界面两边形成的都是耗尽层

​对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是（）