单项选择题
A.升华法B.移动加热法C.垂直布里奇曼法D.液封提拉法
A.有毒B.直接带隙半导体C.有闪锌矿和纤锌矿两种结构D.禁带宽度随着原子序数的增加而增加
A.可以制备成高频和大功率器件B.是宽禁带半导体，可以生长在SiC上C.高载流子迁移率D.霍尔迁移率随着温度的增加而增加
A.化学计量可以得到很好的控制B.可以生长大直径的晶体C.液态密封法不能掺Si，因为会导致B的沾污D.一般采用B2O3液封
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