单项选择题

‌在CMOS中通常PMOS栅极采用p⁺多晶硅而非n⁺多晶硅，其原因是（）。

A.p⁺多晶硅栅具有较大功函数
B.p⁺多晶硅栅具有更低电阻率
C.p⁺多晶硅栅可以做成埋沟器件
D.p⁺多晶硅栅适合自对准工艺

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单项选择题

A.i_c>i_nc
B.i_ne< i_pe
C.i_nc>i_ne
D.i_b=i_pe+i_cbo

单项选择题

A.该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定
B.该复合电流影响对硅管大，对锗管小
C.该复合电流影响对两种管子同样大
D.该复合电流影响对锗管大，对硅管小

单项选择题

A.空穴电流
B.无法确定
C.电子电流和空穴电流一样大
D.电子电流

‌在CMOS中通常PMOS栅极采用p+多晶硅而非n+多晶硅，其原因是（）。