单项选择题
A.点缺陷B.面缺陷C.线缺陷D.电子缺陷
A.离子迁移率＞0.99，而电子迁移率＜0.01B.电子迁移的禁带宽度应大于3eVC.离子迁移的激活能远大于电子迁移激活能D.化学稳定性和热稳定性高
A.空位扩散B.间隙扩散C.间隙顶替D.挤列扩散
A.电合成高分子材料B.有机电池C.仿生合成D.多晶硅太阳能
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