问答题
二阶效应包括：短沟道效应，窄沟道效应，迁移率退化，沟道长度调制效应，静电反馈效应等。
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。
微信扫一扫,加关注免费搜题
