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单项选择题
元器件引线在成型过程中，弯曲半径应大于（）的引线直径。
A.1倍
B.2倍
C.3倍
D.4倍
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单项选择题
如钽电容引线有熔接点，弯曲点不允许在熔接点和元器件之间，熔接点到弯曲点之间应保留（）距离合适。
A.1mm
B.2mm
C.3mm
D.4mm
单项选择题
元器件引线经过弯曲成形，表面镀层剥落不应大于引线直径的（）。
A.1/10
B.1/5
C.1/3
D.1/2
单项选择题
搪锡高度距元器件引线根部大约是（）。
A.1mm
B.2mm
C.3mm
D.4mm
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