单项选择题

杂质半导体进入全电离的温度存在（）规律，进入本征激发区的温度存在（）规律。

A.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越低
B.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越高
C.杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越低
D.杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越高

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单项选择题

A.n0；Δp
B.n0；Δn
C.p0；Δp
D.p0；Δn

单项选择题

有4个硅样品，其掺杂情况分别是：
甲：含砷1×10¹⁵cm^-3；
乙：含硼和磷各1×10¹⁷cm^-3；
丙：含硼1×10¹⁷cm^-3；
丁：含砷1×10¹⁷cm^-3。
室温下假设杂质完全电离，则这些样品的空穴浓度由高到低的顺序是（）。

A.丁甲乙丙
B.甲丙丁乙
C.丙乙甲丁
D.丁丙甲乙

单项选择题

A.E_F
B.E_i
C.E_c
D.E_v