多项选择题
A.不饱和区B.饱和区C.不稳定区D.稳定区
A.结晶速率B.结晶产率C.结晶溶剂D.结晶工艺过程及操作条件
A.杂质能完全制止晶体的生长B.杂质能晶体能促进生长C.改变晶体的晶型D.杂质对同种晶体的不同晶面产生选择性影响
A.干燥温度较低B.产品质地疏松C.可减少空气对产品的不良影响D.适合于稠浸膏及热敏性或高温下易氧化物料的干燥
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