单项选择题

关于锗二极管，下列哪项不正确？（）

A.锗二极管的门槛电压，相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流，相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时，电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时，会形成反向饱和电流，相当于二极管导通

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单项选择题

A.大的正向扩散电流
B.PN结导通
C.低电阻
D.高电阻

单项选择题

A.空间电荷区的电阻率很高
B.PN结的内电场是从P区指向N区的
C.由载流子浓度差引起的载流子运动，称为扩散运动
D.漂移运动指的是电场作用所引起的载流子的运动

单项选择题

A.N型半导体，自由电子数是远远大于空穴数的
B.N型半导体中，自由电子是多子
C.N型半导体中，空穴是多子
D.N型半导体中的空穴主要由热激发形成