单项选择题

以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）。

A.过饱和会形成氧沉淀，影响硅晶体的电学性质
B.主要来源于坩埚的污染
C.是直拉硅中浓度最高的杂质
D.对于硅晶体而言完全是有害杂质，需要去除

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单项选择题

A.重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险
B.连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀，但是掺镓除外
C.连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低，晶体质量高
D.连续直拉法可以在晶体生长过程中使熔体的液面保持恒定

单项选择题

A.晶体旋转和坩埚旋转都会产生强制对流
B.表面张力会产生热对流
C.磁性直拉法可以通过外加磁场在一定程度上抑制对流
D.温度差会产生热对流

单项选择题

A.晶界
B.Cu杂质
C.位错
D.Fe杂质

​以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）。