单项选择题
A、吸收 B、冷却 C、结晶 D、晶核生长
A、一，三 B、二，五 C、四，六 D、一，二，五
A、塔中部堵，破坏液封 B、塔下部堵，破坏液封 C、塔压低 D、塔压高
A、230 B、300 C、320 D、360
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