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单项选择题

在理想MIS结构（n型半导体）开启电压V_T的计算中，没有考虑强反型少子（即空穴）电荷的原因是（）。

A.反型空穴的浓度低于Nd
B.反型空穴与电子正好是电中性的
C.反型空穴总数太少

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单项选择题

双极型晶体管中开关时间常数最大的通常是（）。

A.开启延迟时间
B.下降时间
C.储存时间
D.上升时间

单项选择题

关于复合电流，下列说法中正确的是（）。

A.载流子不消失，电流也不消失
B.载流子消失，但电流不消失
C.载流子消失，电流也消失
D.载流子不消失，电流消失

单项选择题

‏Si的pn结，正向小偏压下，占据主导的电流分量是（）。

A.产生电流
B.漂移电流
C.扩散电流
D.复合电流

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