单项选择题

一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中，（）

A.其栅氧化层厚度越小，阈值电压越大
B.其衬底掺杂浓度越高，阈值电压越大
C.其阈值电压必定是负的
D.其衬底费米势肯定是负的

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单项选择题

A.其阈值电压应该是正的
B.强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的
C.积累状态时所加的栅电压应该是负的
D.其费米势应该是负的

单项选择题

A.fM
B.fα
C.fβ
D.fT

单项选择题

A.温度增加，会使晶体管的反向电流增大
B.发射极电流是基极电流和集电极电流的总和
C.集电结反向电压增大，基区有效宽度减小
D.基区穿通会使晶体管的击穿电压增加