单项选择题

考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm^-3，Nc=2E15cm^-3。假定冶金结宽度为0.70um。计算C-B结电压从2V变化到10V时，中性基区宽度的变化（）。

A.0.1um
B.0.25um
C.0.05um
D.0.2um

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单项选择题

A.集电结势垒渡越时间
B.发射极延迟时间
C.基区渡越时间
D.集电极延迟时间

单项选择题

A.C_Te对γ几乎无影响，C_De对γ有显著影响
B.C_Te对γ有显著影响，C_De对γ几乎无影响
C.C_Te和C_De对γ都有显著影响
D.C_Te和C_De对γ都几乎无影响

单项选择题

A.势垒电容可用平板电容等效，而扩散电容则不能
B.势垒电容和扩散电容都可用平板电容等效
C.势垒电容和扩散电容都不能用平板电容等效
D.扩散电容可用平板电容等效，而势垒电容则不能

考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm-3，Nc=2E15cm-3。假定冶金结宽度为0.70um。计算C-B结电压从2V变化到10V时，中性基区宽度的变化（）。