多项选择题

‌对于GaN/InGaN/GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确？（）

A.LED光谱较窄
B.激光器发射功率较低
C.可采用MOCVD工艺来制备GaN/InGaN/GaN量子阱
D.LED没有谐振腔而激光器有

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多项选择题

下图是一P型单臂CNT FET，下列哪种说法正确？（）

A.这是底栅CNT FET
B.金属钯（Pd）的功函数小于CNT的功函数
C.CNT是FET的导电沟道
D.CNT中的载流子是弹道传输

多项选择题

A.Ec=kBT
B.RT>>Rk
C.Ec>>kBT
D.RT< Rk

多项选择题

A.人的作用设计产物并启动过程
B.自组装的驱动力不含重力等长程力
C.不是热力学平衡的体系，且能量较高
D.自组装的驱动力包括氢键、范德瓦尔斯力等短程力