单项选择题

在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。

A.横向效应，>
B.横向效应，<
C.沟道效应，<
D.沟道效应，>

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多项选择题

A.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生长十几nm厚的栅氧化层时，服从线性氧化速率
C.温度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快

单项选择题

A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）

填空题