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给出一管单元DRAM的原理图，并给出版图。
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问答题
对1T DRAM，假设位线电容为1pF，位线预充电电压为1.25V。在存储数据为1和0时单元电容Cs（50fF）上的电压分别等于1.9V和0V。这相当于电荷传递速率为4.8%。求读操作期间位线上的电压摆幅。
问答题
给出三管DRAM的原理图。并按图中已给出的波形画出X和BL1波形，并大致标出电压值。（选作）试问有什么办法提高refresh time？
问答题
试问单管DRAM单元的读出是不是破坏性的？怎样补充这一不足？（选作）有什么办法提高refresh time？
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