多项选择题
P在两歩扩散工艺中，第二步再分布的同时又进行了热氧化（kp=10），这会给再分布扩散带来哪些影响？（）
A.P扩散速度加快
B.扩入Si的P总量下降
C.在SiO2/Si界面Si一侧的P耗竭（是指低于SiO2一侧）
D.在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积（是指高于SiO2一侧）
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