单项选择题

已知硅半导体中每立方厘米掺有10¹⁷个硼原子，则：（）

A.这是N-Si
B.电子浓度为10¹⁷cm^-3
C.该半导体中空穴为少数载流子
D.该半导体的费米能级在禁带中心下方

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单项选择题

A.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度
D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度

单项选择题

A.是深能级杂质
B.是间隙杂质
C.是施主杂质
D.电离后带负电

单项选择题

A.温度越高，扩散越容易
B.影响漂移和扩散的因素基本类似
C.载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在
D.同一种载流子在不同材料中的扩散系数是不一样的

已知硅半导体中每立方厘米掺有1017个硼原子，则：（）