单项选择题
A.表面浓度B.杂质类型C.结深D.掺入杂质总量
A.间隙式扩散B.替位式扩散C.热运动D.间隙—替位式扩散
A.改变半导体导电类型B.改变电阻率C.形成PN结D.形成隔离
A.栅长（gate_length）B.氧化层厚度C.栅宽（gate_width）D.栅指数（gates）
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