单项选择题
A.下层 B.上层 C.中间 D.任意
A.载流子迁移复合损失 B.连接转换等电学损失 C.其它损失 D.反射及遮蔽等光学性能损失
A.化合物晶体电池 B.化合物薄膜电池 C.硅薄膜电池 D.硅晶电池
A.高 B.一致 C.未知 D.低
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