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半导体物理
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单项选择题
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
A.锗
B.磷
C.硼
D.锡
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相关考题
单项选择题
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近E
i
。
A.E
c
B.E
v
C.E
g
D.E
F
填空题
（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
填空题
反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。
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