如图所示，电路中已知T1、T2均为硅管，U_BE1=U_BE2=0.7V，R_C1=R_C2=3.8KΩ，R_B1=R_B2=1KΩ，R_E=5.1KΩ，V_CC=1.5V，V_EE=-12V，β₁=β₂=50 试计算： 
（1）静态各种点的值； 
（2）差模电压放大倍数、共模电压放大倍数及共模抑制比； 
（3）差模输入电阻、共模输入电阻及输出电阻。

由N沟道耗尽型场效应管组成的电路如下图所示。设U_GSQ=-0.2V,   G_m=1.2ms。
试求： 
（1）电路中的静态工作点I_DQ和UG_SQ之值
（2）画出微变等效电路图 
（3）电压放大倍数Á_u 
（4）输入电阻R_i和输出电阻R_O

如图所示，放大电路中，已知V_CC=15V，_s=0.5KΩ，R_b1=40KΩ，R_b2=20KΩ，R_c=2KΩ，R_E1=0.2KΩ，R_E2=1.8KΩ，R_L=2KΩ，β=50，U_BE=0.7V。
试求：
（1）电路的静态工作点 
（2）画出微变等效电路 
（3）输入电阻R_i和输出电压R_o 
（4）电压放大倍数A_u和源电压放大倍数A_us