判断题
错误
A.可测量几个微秒的寿命 B.测量准确度高 C.测量下限较低 D.测量电阻率的下限也较低
A.测量下限较高 B.对样品有几何形状和几何尺寸的要求 C.要求制备符合一定要求的欧姆接触 D.仪器线路比较复杂
A.两探针法 B.四探针法 C.范德堡法 D.扩展电阻法
A.电极电位 B.腐蚀液的成分 C.腐蚀处理的温度和搅拌的影响 D.缓冲剂的影响
A.使整个样品加底光照 B.将硅单晶加热到50～70℃ C.加底光照后用氙灯闪光进行照射 D.将硅单晶加热到60～80℃
A.是晶体中点缺陷的局部聚集B.漩涡条纹是不连续的C.由大量的浅蚀坑组成D.在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的
A.扩散长度法 B.光电导衰退法 C.光脉冲法 D.光磁法
A.电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化 B.一般采用1～2mm左右的针距较适宜 C.四根探针应处于同一平面的同一条直线上 D.样品的厚度必须大于3倍针距
A.直接法 B.瞬态法 C.稳态法 D.间接法
A.单探针点接触整流法 B.冷热探笔法 C.三探针法 D.冷探笔法
A.样品较少受到污染 B.测量时不必制作欧姆电极 C.样品无需切割成一定的几何形状 D.应用广泛
A.仪器线路比较复杂 B.依靠电容耦合 C.干扰比较大 D.测试方法比较简单
A.控制氙灯的闪光电压 B.加滤光片 C.加热硅单晶 D.加光阑
