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单项选择题

根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）

A.NPN型低频小功率硅晶体管
B.NPN型高频小功率硅晶体管
C.PNP型低频小功率锗晶体管
D.NPN型低频大功率硅晶体管

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单项选择题
某NPN型管电路中，测得UBE=0V，UBC=-5V，则可知管子工状态是否（）

A.放大
B.饱和
C.截止
D.不能确定
单项选择题
射极输出器是典型的（）放大器。

A.电流串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电压串联负反馈
单项选择题
基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。

A.截止区
B.饱和区
C.死区
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