欢迎来到牛牛题库网
牛牛题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
集成电路技术
>
集成电路技术综合练习
搜题找答案
单项选择题
离子注入机机架外壳和高压放电棒接地电阻小于（）。
A.1Ω
B.5Ω
C.10Ω
点击查看答案&解析
上一题
目录
下一题
相关考题
判断题
Metal slab中的金属Ti是为了形成金属硅化物降低接触电阻。
判断题
扩散的低压工艺有多晶、氮化硅和TEOS。
判断题
LPCVD多晶的反应气体是二氯二氢硅。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
